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實現無熒光粉的單芯片白光發光二極管
 發光二極管在固態照明工程中占有重要的地位,在未來5-10年將逐步取代傳統的照明燈具,成為節能、環保的新型光源。與傳統的光源(白熾燈,日光燈,鹵素燈等)相比,發光二極管光源具有許多優點,如長壽命,體積小,低功耗,低環境污染,高電光轉換效率,適用性好和使用安全等。隨著GaN基III- V族化合物技術的發展和藍光led的實現,人們已經可以獲得實現白光的三基色發光二極管。通常情況下,獲得白光發光二極管的方法有:1)藍光發光二極管+ 黃色熒光粉;2)多芯片組合,即將紅,綠,藍三個管芯結合在一起;3)光子循環實現白光發光方式;4)同一襯底上生長不同發光波長量子阱方式。但是上述幾種獲得白光的方式技術復雜、制作成本高、存在很多需要克服的困難,因此人們一直致力于實現能夠避開這些問題的單芯片白光發光器件,并從理論上預言這種器件的可行性。然而,盡管GaN基的藍、綠光發光二極管的技術日益成熟和商品化,實現單芯片白光發光成為科學家的夢想。2006年,物理所陳弘研究組采用InGaN的應力調制層,實現了對InGaN/GaN多量子阱的應力調制和控制,成功研制出單芯片白光發光器件。此方法不需要熒光粉,也不需要增加復雜的控制電路,制備過程與普通發光二極管相似。在常規的注入電流下(20mA-60mA),白光的顯色指數幾乎不變。圖1展示了不同注入電流下發光顏色的變化。圖2展示了InGaN/GaN有源區的截面電鏡像。
瀏覽次數:0  錄入時間:2010/8/30   [關閉窗口]
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